ОГЛАВЛЕНИЕ:
Современные модули памяти, особенно оверклокерские модели, целесообразно проверять только в двухканальном режиме - все нынешние платформы энтузиастского класса используют именно двухканальный доступ к памяти. В таком режиме снижается разгонный потенциал, поэтому владельцы Athlon 64 для Socket 754 (а также любители Dothan'ов и пользователи со старыми платформами типа Intel 845PE) смело могут накидывать минимум 10 МГц к указанным цифрам, особенно при расслабленных таймингах.
В отличие от видеокарт, модули оперативной памяти одного типа, как правило, сравнительно слабо различаются по оверклокерскому потенциалу, поэтому полученные результаты адекватно демонстрируют уровень разгоняемости модулей.
Тестирование проводится в шести разных режимах: с минимальными таймингами (2-5-2-2, они же рекомендуемые для режима DDR400), средними (2,5-6-3-3) и максимальными (3-8-4-4). Каждый тест повторяется дважды, с напряжением питания 2,85 В (на большинстве материнских плат - предельное без внесения изменений в конструкцию) и 3,3 В (полученное путем вольтмоддинга). Напоминаю, что в последнем случае вы выходите за рамки гарантированной работоспособности модулей. Впрочем, кому я это рассказываю...
Действительно, как и обещано по спецификациям, модули вполне работают как DDR400 с минимальными задержками и даже позволяют немного себя разгонять. С повышением напряжения потенциал растет, хотя и меньше, чем у старых добрых BH-5 (нормой для BH-5 при 3,3 В являются 240-250 МГц).
А вот с повышением таймингов проявляется та самая интересная особенность чипов Samsung TCCD. Как известно, обычно модули могут работать либо с низкими таймингами, либо на высокой частоте - большинство модулей типа DDR500 3-8-4-4 не представляют из себя ничего особенного на частотах ниже своих штатных, отказываясь стартовать на низких таймингах при любой частоте и напряжении. В то же время BH-5 при отличных таймингах неспособны к росту частоты с их повышением, а на CAS=3 вообще не проходят процедуру POST. Инженерам Samsung удалось побороть нездоровую тенденцию - TCCD легко достигают частот DDR500 и выше со средними таймингами 2,5-6-3-3. А вот рост напряжения не оказывает столь уж большого влияния на максимальную частоту, всего +10 МГц при 0,45 В разницы. Дальнейший рост таймингов позволяет поднять частоту еще выше (до 285 МГц), однако напряжение 3,3 В дало минимальный прирост. Система проходила POST на частоте DDR600, но работать стабильно отказалась.
Впрочем, мы смеем надеяться что это недостаток сэмпла - наш набор имеет достаточно раннюю дату выпуска. Позже Samsung смена ревизию чипов TCCD, что по многочисленным свидетельствам оверклокеров увеличило эффективность разгона при высоком напряжении. Подтвердить или опровергнуть этот факт мы сможем в следующем обзоре модулей памяти на базе этих чипов.
