Пожалуйста ответьте на вопросы Теста.
Заранее благодарю.
1. В усилительном каскаде на биполярном транзисторе с общим эмиттером транзистор в покое должен находится:
а) в Области отсечки;
б) в нормальной активной области;
в) инверсной активной области;
г) в области насыщения
2. Каково назначение параллельного соединение резистора Rэ и конденсатора Сэ в эмиттере биполярного транзистора:
а) стабилизация рабочей точки;
б) образование положительной ОС в эмиттере;
в) увеличение коэффициента усиления;
г) увеличение входного сопротивления каскада.
3. Амплитудная характеристика усилительного каскада- это зависимость
а) Uвых(Uвх);
б) Uвх(Uвых);
в) Uнагр(Uген)
г) Uk(Uб)
4. По амплитудной характеристике можно определить следующие статистические малосигнальные параметры усилителя:
а) Ku;
б) Rвых;
в) Urмакс;
г) Kl;
Д)Kни.
5. Как изменится амплитудная характеристика, если увеличить сопротивление резистора Rк:
а) увеличится наклон характеристики на линейном участке;
б) расширится линейный участок;
в) ограничение напряжения нагрузки наступит при меньших напряжениях генератора;
г) уменьшится наклон характеристики на линейном участке.
6. При увеличении сопротивления нагрузки динамический диапазон усилителя:
а) увеличивается;
б) уменьшается;
в) остается неизменным.
7. При увеличении сопротивления нагрузки от 1 кОм до бессконечности коэффициент усиления по напряжению:
а) увеличивается до бесконечности ;
б) уменьшается;
в) остается неизменным;
г) увеличивается до некоторого предельного значения.
8. Нелинейные искажения выходного сигнала вызваны тем, что
а) Транзистор имеет нелинейную входную вольтамперную характеристику;
б) в схеме усилителя присутствуют разделительные конденсаторы;
в) в схеме усилителя образуется отрицательная ОС;
г) в схеме усилителя присутствуют реактивные элементы.
9. Спад амлитудно-частотной характеристики на высоких частотах определяется
а) наличием фронтов и срезов на выходном сигнале;
б) наличием в схеме усилителя разделительных конденсаторов;
в) наличием блокирующего конденсатора;
г) наличием емкости нагрузки;
д) Инерционного транзистора;
е) наличием конечного значения фронта выходного сигнала.
10. Нижняя граничная частота усилителя зависит от
а) коэффициента усиления по напряжению;
б) величины разделительных конденсаторов;
в) величины блокирующего конденсатора;
г) времени жизни носителей в базе транзистора.
11. Входное сопротивление усилительного каскада увеличивается при
а) увеличении сопротивления генератора Rl;
б) уменьшении сопротивления базового двигателя R1;
в) увеличении сопротивления базового двигателя R2;
г) увеличении режимного тока Iэ;
д) увеличении коэффициента усиления (передачи) тока базы транзистора B.
12. Выходное сопротивление усилительного каскада увеличивается при
а) увеличении сопротивления генератора Rl;
б) увеличении коллекторного сопротивления Rk;
в) увеличении режимного тока Iэ;
г) увеличении коэффициента усиления (передачи) тока базы тразистора B;
13. При отсутствии в схеме усилительного каскада блокирующего конденсатора параметры каскада изменяются следующим образом:
а) увеличивается Ku;
б) уменьшается Ku;
в) Увеличивается Rвх;
г) увеличивается Rвых;
д) уменьшается Rвх;
e) уменьшается нижняя граничная частота.
14. Если нагрузка усилительного каскада имеет емкостную составляющую Cн, то параметры усилителя изменяются следующим образом:
а) уменьшается Ku;
б) увеличиваются времена нарастания фронта выходного импульса;
в) уменьшается верхняя частота;
г) увеличивается Rвых.
15. Величина спада плоской вершины импульса измеряется в:
а) относительных величинах;
б) микросекундах
в) вольтах.
16. Нижняя граничная частота определяет следующие искажения выходного сигнала:
а) нелинейные искажения;
б) фронт нарастания выходного импульса;
в) спад плоской вершины выходного импульса;
г) инверсию выходного сигнала по сравнению с входным.
17. В эмиттерном повторителе на биполярном транзисторе с общим эмиттером транзистор в покое должен находится:
а) в области отсечки;
б) в нормальной активной области;
в) в инверсной активной области;
г) в области насыщения.
18. Условия блокировки эмиттерного повторителя:
а) наличие значительной емкости нагрузки;
б) отпирающая полярность входного импульса;
в) запирающая полярность входного импульса;
г) амплитуда входного импульса превышает напряжение на прямосмещенном эмиттерном переходе.
19. Коэффициент усиления по напряжению схемы с общим эмиттером большем, чем коэффициент усиления по напряжению эмиттерного повторителя из-за того, что
а) в схеме эмиттерного повторителя отсутствует сопротивление коллектора Rк;
б) в схеме эмиттерного повторителя действует глубокая отрицательная ОС;
в) в схеме эмиттерного повторителя нагрузка подключается к эмиттеру.
20. При одинаковых транзисторах и режиме по постоянному току схема с ОЭ по сравнению со схемой с ОК имеет:
а) большую верзнюю граничную частоту;
б) меньшие длительности нарастания фронта выходного импульса;
в) меньший спад плоской вершины импульса;
г) меньшую нижнюю граничную частоту.
Страница 1 из 1
Помогите пройти тест по схемотехнике
Поделиться темой:
Страница 1 из 1