Видяха чучуть особая

Samsung 147
K4026323RA-GC3N
Такую же память видел на радиках 9800SE.
Ну первым делом начинаю гнать ядро... дохожу до 500Mhz - 40мин в 3DMark03 и все ок... думаю класно... щас еще память поставлю на номинал 3ns - 667Mhz и будет вообще

И сразу обламываюсь... при частоте памяти выше 450Mhz уже есть артефакты в 3D.
Установка хорошего кулера + радиаторы на память - нулевой эффект.
Подбор других таймингов для памяти - стает еще хуже или +10Mhz при очень высоких тамингах.
Первое что пришло в голову это то что напруга на память просто занижена и поможет вольтмод.
Иду на сайт самсунга и там нахожу что такой памяти нужно - VDD/VDDQ = 2.8V/2.8V.
Начинаю изучать видяху... спереди ниче интересного по питанию нету:
http://r9550.narod.ru/01.jpg
С обратной стороны нахожу RT9202 - 2шт. и AMS1117 - 3шт:
http://r9550.narod.ru/02.jpg
Замеры напряжения:
RT9202 - 2.81V (сразу понял что память)
RT9202 - 1.25V (ядро)
AMS1117 - 3.27V
AMS1117 - 1.77V
AMS1117 - 1.86V
На RT9202 питание идет от 12V линии... на все AMS1117 от 5V линии.
Начинаю делать вольтмод на обе RT9202:
Поднятие напряжения по ядру:
1.25V->1.30V дает погнать его до 530Mhz.
1.30V->1.35V уже катастрофа для памяти... начинаются артефакты при прежней частоте и приходится понижать до 400Mhz.
1.35V->1.40V память отказывается нормально работает уже даже при 400Mhz и стабильной частоты найти не удается при понижении вообще.
Снимаю вольтмод с ядра и пробую заставить работать память хоть на номинале для 3ns:
2.81V->2.90V стает слегка даже хуже.
2.90V->3.00V артефакты на любой частоте.
Так же пробовал одновременно вольтмод и ядра и памяти... но результат был только хуже.
У меня как у начинающего в вольтмодах... просто опустились руки

Может там еще с мосфетами что-то нужно делать? их я не трогал не знаю что они питают.
Заранее благодарен за любую помощь.