15/06/2006 - 16:04 [ ]2GB-комплекты от G.SKILL: F1-4000USU2-2GBHZ и F1-3200PHU2-2GBZX

ОГЛАВЛЕНИЕ:

Перед тем как начать проверку, хочу обратить Ваше внимание на напряжение питания гигабайтных модулей памяти. Ситуация такова, что все гигабайтные модули изготавливаются на чипах высокой плотности, и они от природы не любят высокое напряжение. Ни в коем случае не выставляйте его выше 3.0 В, ибо возможна очень быстрая деградация чипов! Также зачастую гигабайтные модули памяти хорошо гонятся при напряжении, составляющем скромные по оверклокерским меркам 2.8В, которые способна обеспечить любая материнская плата. Дальнейший рост напряжения преимущественно приводит к ухудшению результата разгона или же не влияет на данный показатель. Именно из-за этих двух причин наше тестирование не было должным образом проведено при 3.0 В – проверка модулей в таких условиях вызвала снижение частотного потенциала на 2-10МГц, и ни в одном случае не удалось добиться улучшения разгона, поэтому не вижу смысла добавлять диаграммы с их результатами.

Также результаты, полученные нами, не обязательно должны совпадать с Вашими – существует зависимость от разных факторов: типа материнской платы, используемого процессора, настроек BIOS, «удачного» или «неудачного» комплекта модулей… Но, не смотря на это, приведённые в статье диаграммы способны с большой долей вероятности отобразить общую тенденцию по аналогичным продуктам.

Начинаем опять с F1-4000USU2-2GBHZ. Смотрим информацию, прошитую производителем в SPD:



А вот и результаты проверки:









Хорошо знакомая ситуация – где-то мы подобное уже видели, не правда ли? Ах да, напоминает качественные модули памяти на чипах Samsung TCCD!

Результат меня просто поразил – достичь столь высоких частот на гигабайтных модулях я просто не ожидал! Ну что тут сказать? Браво, G.SKILL! К слову, данный экземпляр материнской платы совершенно нормально работает с параметром 1Т/2Т, поэтому разгон свыше 270МГц скорее всего упирается именно в память или контроллер памяти процессора. Или и в то, и в другое одновременно.



Теперь приведём полученные данные из удобочитаемого вида в удобный для сравнения и анализа. Видим следующую картину: до частоты 240 МГц ни напряжение, ни параметр Command Rate на частоту не влияет вообще. При этом рост нелинеен. Заветные 2-2-2-5 достигаются при пугающе низких 165 МГц (для эффективной работы на таких таймингах существуют совсем другие модули, но они не имеют объёма в гигабайт каждый!), зато повышение значения CAS с 2 на 2.5 дает сразу 40 МГц прироста, выводя модули на вполне приемлимый уровень частоты.
Тем не менее, результат невысок, из чего можно сделать вывод – универсальных по своим характеристикам модулей такого объёма пока нет, по крайней мере у G.SKILL: они либо работают на низких таймингах (см. ниже по тексту), либо достигают высоких тактовых частот. Ситуация такая же, как после выхода первых модулей класса DDR500+ три года назад.
Поэтому, работа данных планок ниже частоты 250 МГц нас интересует мало. А вот дальше картина становится интереснее. В самых жестких условиях (штатные тайминги, т.е. 3-4-4-8, 1Т, напряжение 2.66 В) максимальной частотой работы явлются почти 265 МГц. Это отличный показатель с учётом объёма модулей. Установка Command Rate в значение 2T позволяет добиться дополнительных 30 МГц прироста, а вот дальнейший рост таймингов (до издевательски-медленных 3-5-5-10) и напряжения (до 2,8 В) практически бесполезен – в сумме они дают от силы 10 МГц скачка частоты.

Перейдем к F1-3200PHU2-2GBZX. Тоже совсем не рядовая память. Почему? Вы, наверное, заметили довольно специфический подбор комбинаций таймингов в разделе «Методика тестирования»? Дело в том, что память на чипах Infineon CE-5/6 абсолютно равнодушно относится к параметру Row Precharge, напоминая по своему поведению великие и могучие чипы производства Winbond: стандартное его значение равняется двум, а поднятие не приводит к улучшению разгонного потенциала.



Аналогично и другие тайминги – конечно, не 2-2-2-5, но заметно меньше аналогичных у вышерассмотренных F1-4000USU2-2GBHZ, и их увеличение (кроме CAS, конечно!) не оказывает абсолютно никакого влияния на частотный потенциал.





Немного огорчил результат разгона – судя по статистике, которую собирают на многих оверклокерских форумах, частотный потолок планок на чипах Infineon CE-5/6 может достигать впечатляющих 260-300 МГц! Но при данном сочетании частота/тайминги/объём и позиционировании самой памяти как Value-line результат всё равно на высоте!

Следует отметить очень прохладное отношение F1-3200PHU2-2GBZX к параметру Command Rate – результат его влияния на разгонный потенциал находится в пределах погрешности, поэтому диаграммы приведены только для значения 1Т.



Приводим и эти данные в единой диаграмме. Сразу становятся заметны несколько тенденций.
Во-первых, принципиальное отличие поведения F1-3200PHU2-2GBZX от предыдущего комплекта: дельта частот между лучшим и худшим показателем вдвое меньше. Впрочем, как и разница между лучшими и худшими таймингами. Обратите внимание, что для работы на 2-2-2-5 при DDR400 этому набору не хватило всего 5 МГц. Однако, вплоть до 255 МГц предельные частоты работы в одинаковых условиях у F1-3200PHU2-2GBZX гораздо (на 10-15 МГц) выше, чем у старшей по индексу модели.
Во-вторых, частота чуть выше DDR500 оказалась пределом работоспособности модулей вне зависимости от условий проверки – в этом проявляется суть вышеописанной ситуации с неуниверсальностью тестируемых планок объёмом 1 ГБ. Выбор «частота или тайминги» пользователю придётся сделать в момент покупки, а не простой сменой параметров BIOS, как это позволяют многие полугигагабайтные модули (в частности, на чипах Samsung TCCD).
В-третьих, единственным принципиально важным параметром, определяющим частотный потенциал, является CAS Latency. Рост частоты при смене 2-2.5-3 совершенно линеен.
И в-третьих, как видно на диаграммах, и в этом случае влияние напряжения свыше скромных 2,66 В на потенциал модулей незначительно (не более 5 МГц прироста). Это плохая новость для экстремалов (вольтмоддинг не поможет!), но очень хорошая – для тех, кто рассчитывает эксплуатировать планки в повседневной работе. Впрочем, ни один бенчмарк из общепринятых не покажет существенной разницы результатов при установке 2 ГБ памяти вместо 1 ГБ в двух модулях, так что энтузиастам 3DMark можно и не беспокоиться.

В процессе тестирования не выявлено значительного нагрева оперативной памяти, отсюда вывод: рассмотренным модулям для нормальной работы хватает и штатных теплорассеивателей (без которых также можно обойтись).

<< Назад Далее >>