Вопросы защиты окружающей среды, а также сохранения лесов в последнее время очень активно интересуют мировую общественность, а потому и производители не смогли пройти мимо такой тенденции и начали разрабатывать так называемые «зеленые» комплектующие, которые характеризуются уменьшенным потреблением электроэнергии.

Американская компания Super Talent весьма удачно работает в этом направлении, ее новые планки оперативной памяти мало того, что работают при номинальном напряжении питания 1,35 Вт, так еще и выполнены в низкопрофильном дизайне – их высота составляет всего 1,83 см, что позволяет производителю маркировать их как VLP (Very Low Profile). Планки под кодовым названием W13VA2G4LS имеют объем 2 ГБ и соответствуют стандарту DDR3-1333, что касается задержек, то они пока что не указаны, но вероятнее всего производительность пострадает в угоду экономии электроэнергии.

«Иногда бывает сложно сделать правильную вещь», - сказал журналистам Си Эйч Ли (C.H. Lee), представитель компании SuperTalent. «Но с нашими новыми планками получилось все наилучшим образом и достаточно просто. Пользователь получает хорошую память и уменьшает затраты электроэнергии, тем самым делая свой вклад в снижение загрязнения окружающей среды».

Все ныне существующие «зеленые» модули RAM компании Super Talent можно найти здесь, в скором времени там появятся и сегодняшние новинки.

Компьютерные энтузиасты и игроманы наверняка заинтересуются данной новостью, однако в большей степени это касается владельцев портативных компьютерных систем. Известная калифорнийская компания Super Talent Technology  представила общественности самые скоростные модули оперативной памяти стандарта DDR3 SO-DIMM (Small Outline Dual In-line Memory modules) емкостью 4 ГБ, которые функционируют на рекордной частоте 1600 МГц. Напомним нашим читателям, что предыдущие «рекордсмены» могли похвастаться скоростью 1333 ГГц.

Итак, новые планки от компании Super Talent Technology прежде всего заинтересуют пользователей, которым требуется вся мощность их персонального портативного компьютерного помощника, а производительность оперативной памяти становилась «бутылочным горлышком» в общей картине.

«Технологии производства памяти не стоят на месте и наша компания будет продолжать работать с самыми передовыми из них, для того чтобы обеспечить наших пользователей самыми быстрыми планками», - сказал один из представителей компании Super Talent Technology. «Тестирование производилось на мобильных рабочих станциях HP Envy 17-1011NR».

Модули Super Talent 4 ГБ DDR3 1600 МГц SO-DIMM в продаже появятся в ближайшие недели, их стоимость пока неизвестна.

Тайваньская компания Silicon Power хорошо известна отечественным пользователям, поскольку в ее арсенале есть множество моделей недорогих, флэш-накопителей и планок оперативной памяти достойного качества. На днях данных азиатский производитель анонсировал четыре предложения в сегменте ОЗУ: 4-гигабайтные модули для настольных компьютеров (конфигурация чипов – 256MБ x 8), модули такой же емкости для лэптопов, двухканальный набор DDR3 общим объемом 8 ГБ и трехканальный комплект на 12 ГБ.

Новинки разработаны с использованием технологии On-Die Termination, которая благотворно влияет на увеличение скорости передачи данных. Рабочая частота составляет 1333 МГц, задержки – 9-9-9-24, при напряжении питания 1,5 Вт; для повышения надежности функционирования «оперативки» внедрен код коррекции ошибок (ECC).

Для новых модулей Silicon Power не предусмотрено каких либо дополнительных средств охлаждения, скорее всего они здесь и не понадобятся. Стоимость наборов пока что не сообщается, известно лишь, что они будут поддерживаться «пожизненной» гарантией.

Компания OCZ Technology Group анонсировала сегодня новый 8 Гб набор двухканальной оперативной памяти OCZ3G1333LV8GK, принадлежащий к серии «Gold Series» и состоящий из двух 4 Гб модулей.

Тактовая частота новой памяти составляет 1333 МГц, модули имеют тайминги CL 9-9-9-20 и работают на пониженном напряжении 1,65 вольта. Продукция тщательно протестирована на всех современных платформах, и OCZ уверена в ее стабильности и высокой производительности.

Набор OCZ3G1333LV8GK выйдет в продажу совсем скоро и будет иметь цену 250 евро. Как бы то ни было, компания будет продавать 4 Гб модули не только в наборах, но и отдельно. Каждая планка памяти обеспечивается пожизненной гарантией OCZ.

Здесь собрана информация о среднестатистическом разгоне чипов памяти разных производителей и времени доступа.

SDR EtronTech 4ns @ 265
SDR EliteMT 4.5ns @ 260
SDR EtronTech 4.8ns @ 250
SDR EtronTech 5ns @ 230-250
SDR EliteMT 5ns @ 245
SDR Hynix 5ns @ 220-230
SDR Winbond 5ns @ 215-225
SDR Samsung 5ns @ 205-225
SDR Hyundai 5.5ns @ 205-225
SDR Samsung 5.5ns @ 210
SDR Hyundai 6ns @ 190-215
SDR EliteMT 6ns @ 210
SDR Micron 6ns @ 190-210
SDR Samsung 6ns @ 180-210
SDR Mira 6ns @ 170-210
SDR Winbond 6ns @ 175-185
SDR Samsung 7ns @ 200
SDR M.tec 7ns @ 190
SDR LG 7ns @ 178
SDR Hyundai 7ns @ 170
SDR DTM 7ns @ 170
SDR Winbond 7ns @ 165
SDR Micron 8ns @ 160

DDR SD Samsung 2.8ns @ 365-380
DDR SD Hynix 3.3ns @ 310-357.5
DDR SD Samsung 3.3ns @ 320-350
DDR SD ESMT 3.5ns @ 290-295
DDR SD EtronTech 3.5ns @ 285-290
DDR SD Samsung 3.6ns @ 283.5-347.5
DDR SD Hynix 3.6ns @ 285-320
DDR SD EliteMT 3.8ns @ 280
DDR SD A.T.M 3.8ns @ 270
DDR SD Hynix 4ns @ 255-305
DDR SD Samsung 4ns @ 280-283
DDR SD EtronTech 4ns @ 255-275
DDR SD ESMT 4ns @ 270
DDR SD EliteMT 4ns @ 260
DDR SD EtronTech 4.5ns @ 250-260
DDR SD Samsung 5ns @ 230-260
DDR SD EtronTech 5ns @ 250
DDR SD ESMT 5ns @ 235-240
DDR SD EliteMT 5ns @ 220-240
DDR SD Hynix 5ns @ 220-230
DDR Hyundai 5.5ns @ 205
DDR Hyundai 6ns @ 190-205

DDR SGRAM Hynix 4ns @ 280-290
DDR SGRAM Samsung 4ns @ 252-260
DDR SGRAM Samsung 5ns @ 230-250
DDR SGRAM Ascend 5ns @ 205
DDR SGRAM Samsung 5.5ns @ 195
DDR SGRAM Ascend 6ns @ 210
DDR SGRAM Tonicom 6ns @ 205
DDR SGRAM Samsung 6ns @ 190-210
DDR SGRAM Infineon 6ns @ 170-210